толщина p-n перехода от чего зависит

 

 

 

 

2.4. ОСОБЕННОСТИ РЕАЛЬНЫХ p-n-ПЕРЕХОДОВ. В идеальном обратный ток уже при сравнительно небольшом обратном напряжении не зависит от значенияВеличину для резкого перехода можно определить из приближенного выражения. где — площадь и толщина при . Толщина зависит от степени легирования полупроводника: чем выше концентрация примесей, тем тоньше p-n-переход и, следовательно, больше напряженность поля. Если приложить к p-n-переходу внешнее напряжение U, то поле в p-n-переходе изменится. где Nc, N эффективные плотности состоянии в зоне проводимости и валентной зоне. На p-n переходе возникает объемный заряд толщины d, который зависит от внешнего напряжения U. Определение зависимости толщины обедненного слоя от напряжения обратного смещения перехода.Ширина перехода тоже зависит от материала, для Ge ширина может достигать большего значения, при одинаковых напряжениях. где - напряжение, при котором возникает пробой p-n перехода. Значение зависит от температуры и от удельногоДля получения в прямом направлении больших токов и малых падений напряжения следует увеличивать площадь p-n перехода и уменьшать толщину базы. Прикладываемое обратное смещение оттягивает основных носителей заряда от перехода. Это увеличивает толщину непроводящей обедненной области. Через P-N переход, к которому приложено обратное смещение, протекает обратный ток утечки, зависящий от температуры. Этот ток зависит от концентрации примесей в р- и n-областях и направлен из р-области в n-область.Если к р- и n-областям приложить обратное напряжение, толщина p-n- перехода и расстояние между «пластинами» конденсатора увеличатся, а его емкость уменьшится.приложить так, чтобы созданное им поле было одного направления с полем в переходе, то это приведёт лишь к увеличению толщины слоёвЁмкость p-n-перехода нелинейна — она зависит от полярности и значения внешнего напряжения, приложенного к переходу. Однако размеры этих приграничных слоёв очень малы, намного меньше реальных размеров p-n перехода Изменение заряда в переходе связано с изменением толщины области обеднения, которая зависит от приложенного напряжения.

Напряжение туннельного пробоя p-n-перехода зависит не только от концентрации легирующей примеси и критической напряженности поля, при которой происходит возрастание туннельного тока через p-n-переход, но и от толщины p-n- перехода. Для p-n-перехода, где определяющим является ток, протекающий через переход, очень удобны зависимости тока от напряжения.Дело в том, что при обратном смещении от напряжения зависит толщина обеднённого слоя, а соответственно и количество заряда, которое находится Потенциальный барьер в p-n переходе. Если к полупроводнику приложить электрическое напряжение, то в зависимости от полярностиКак было сказано выше, скорость генерации носителей зарядов в полупроводнике зависит от концентрации и энергетического положения Но -переход не эквивалентен обычному резистору с большим сопротивлением. Во-первых, его сопротивление зависит от приложенного напряжения и, во-вторых, отПо мере увеличения внешнего напряжения толщина запирающего слоя стремится к нулю, а его удельное Таким образом, контактная разность потенциалов зависит от отношения концентраций носителей зарядов одного знака в р- и n-областях полупроводника.где П, d - соответственно площадь и толщина p-n перехода. — ток перехода (рис. 1.13).

Для идеального p-n-перехода имеет место следующая зависимость тока.экспоненциально зависит от напряжения. u. (соответствующее выражение приведено выше), поэтому производная. где П, d - соответственно площадь и толщина p-n перехода где C0 — емкость p-n перехода при UОБР 0 g - коэффициент, зависящий от типа p-n перехода (для резких p-n переходов g 1/2, а для плавных g 1/3). Величина емкости p-n перехода зависит от приложенного к переходу напряжения. Из (2.5.2) следует, что зависимость емкости от напряжения будет иметь место только в том случае, если от приложенного напряжения будет зависеть толщина перехода d(U). Рассмотрим, какие «Определение параметров идеального p-n перехода (диода) для конкретного полупроводника, например антимонида галлия (GaSb)» по дисциплине «Физические основы электроники». 7. Что называется статической вольт амперной характеристикой перехода ?Ответ Зависимость полного тока P-N перехода от приложенного внешнего напряжения. Именно поэтому сила тока проводимости не зависит от значения контактной разности потенциалов. Толщина слоя полупроводника, прилегающего непосредственно к p-n-переходу и участвующего в создании тока проводимости Если к р- и n-областям приложить обратное напряжение, толщина р-n- перехода и расстояние междуРассмотрим его. Обратный ток очень мал и почти не зависит от величины обратного напряжения т. к. он образован дрейфовым током т. е. неосновными носителями зарядов. p-n-переход или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). где П, d - соответственно площадь и толщина p-n перехода где C0 — емкость p-n перехода при UОБР 0 g - коэффициент, зависящий от типа p-n перехода (для резких p-n переходов g 1/2, а для плавных g 1/3).вn- полупроводнике и дырки в р-полупроводнике удаляются внешним полем от запирающего слоя в разные стороны, увеличивая его толщину. Сопротивление p-n - перехода велико, сила тока мала и практически не зависит от напряжения. Этот способ включения диода называется , где S, l(U) соответственно площадь и толщина p-n-перехода.Ширина p-n-перехода зависит от величины и полярности приложенного напряжения. При прямом напряжении она меньше, следовательно, барьерная емкость возрастает. - толщина p-n перехода - диэлектрическая проницаемостьC0 - барьерная ёмкость при Uобр0 - коэффициент, зависящий от типа p-n перехода (для резких 1/2, для плавных 1/3) Полагается, что толщины нейтральных областей много больше диффузионной длины неосновных носителей заряда в этих областях , где B - коэффициент, зависящий от материала полупроводника S - площадь p-n перехода. Количество генерируемых носителей пропорционально объему запирающего слоя, который зависит от ширины p-n перехода.Он возникает тогда, когда длина свободного пробега электрона в полупроводнике значительно меньше толщины p-n перехода. 6. Ширина pn-перехода зависит: от концентраций примеси в p- и n-областях, от знака и величины приложенного внешнего напряжения Uвн.Лавинный пробой свойственен полупроводникам, со значительной толщиной рn -перехода, образованных где S, l(U) соответственно площадь и толщина p-n-перехода.Она тем больше, чем больше площадь p-n-перехода и меньше его ширина. Ширина p-n-перехода зависит от величины и полярности приложенного напряжения. зависимостью: где A коэффициент, зависящий от материала.Помимо снижения потенциального барьера уменьшается толщина p-n-перехода (dпр < d0) и его сопротивление (единицы-десятки Ом) за счет заполнения перехода. 9.2 Расчет толщины p-n перехода. 9.3 Находим величину контактной разности. 9.4 Расчет пробивного напряжения.Следовательно, обратный ток через переход является током проводимости и не зависит от высоты потенциального барьера, то есть он остается Значение. Тема статьи: Определение p-n перехода. Расчёт электрического поля в p-n переходе и его толщины.Величина выделяемого тепла QP и его знак зависят от вида контактирующих веществ, силы тока и времени его прохождения Характерно, что при этом пробое напряжение на переходе мало зависит от тока через него (крутопадающий участок в третьем квадранте ВАХ, см. рис. 1.9).проницаемость S площадь p-n-перехода d толщина обедненного слоя ( толщина p-n-перехода). Для большинства реальных переходов оно не выполняется и вид ВАХ может существенно зависеть от этих процессов (см. рис. 7.9, а, 2). Оказывается, что в реальномСчитая, что Eкр Uпр/d, где d (20Uпр/2enn)1/2 толщина несимметричного p-n-перехода, можно записать. В зависимости от полярности приложенного потенциала P-N переход может иметь либо прямое смещение, либо обратное смещение. Ширина обедненной области, или сопротивление полупроводникового прибора, зависит как от полярности Построить зависимость толщины p-nперехода от величины обратного напряжения d(U). Объяснить полученные зависимости.5. Что такое контактная разность потенциалов? Почему она возникает и от чего она зависит? Выпрямляющие переходы имеют характеристики, зависящие от направления и величины приложенного к ним напряжения.Ширину (или толщину) несимметричного резкого p - n -перехода можно вычислить по формуле. Контактная разность потенциалов и толщина р-n-перехода зависят от концентрации доноров и акцепторовВольт-амперной характеристикой p-n перехода называется зависимость тока, протекающего через p-n переход, от величины и полярности приложенного напряжения. a-градиент концентрации примеси, который можно считать постоянным при очень малой толщине p-n перехода.Переход сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне называется омическим переходом. p-n перехода и зависит только от концентрации донорной примеси в этой области.(толщиной Lp и Ln соответственно в p- и n-области), является током насыщения, т.е. не зависит от приложенной разности потенциалов. Зарядная емкость возрастает с уменьшением толщины p-n-перехода, т.е.

при снижении обратного напряжения. Она выше при прямых напряжениях, чем при обратных. Величина барьерной емкости зависит от площади С помощью выражения (4) можно определить барьерную емкость на основе результатов расчета толщины p-n - перехода.Связано это с тем, что глубина проникновения электрического поля в материал зависит от удельного сопротивления этого материала. Эти пары диффундируют к барьеру и разделяются его полем, в результате чего через p-n-переход течёт ток Is (ток насыщения), который обычно мал и почти не зависит от напряжения. где: S и d площадь и толщина p-n перехода, соответственно.Это обусловлено тем, что I0 зависит как от материала полупроводника, так и температуры. У диодов на основе Ge Iобр I0, на основе Si I0 Iобр. Количество генерируемых носителей пропорционально объему запирающего слоя, который зависит от ширины p-n перехода.Он возникает тогда, когда длина свободного пробега электрона в полупроводнике значительно меньше толщины p-n перехода. Тепловой ток p-n-перехода зависит от концентрации примеси и температуры.Соотношения I I0(e 1) и Rд справедливы для бесконечно тонкого перехода. Реальные переходы имеют конечную толщину. Свойства p-n-перехода. Рубрики: Полупроводниковые электронные приборы.Если к полупроводнику приложить электрическое напряжение, то в зависимости от полярности этого напряжения р-n-переход проявляет совершенно различные свойства. P-n переход в этом случае называется плавным. Объёмный заряд линейно зависит от х и определяется а разность потенциалов n- и р- областей равна: И тогда толщина плавного р- n перехода: (2). Барьерная ёмкость. Основные свойства p-n переходов. Полупроводниковый диод представляет собой прибор, основанный на свойствах p-n перехода. В чистом полупроводнике свободные электроны и дырки образуются попарно и число электронов равно числу дырок.

Также рекомендую прочитать: